မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် ဆုံးရှုံးမှုနည်းသော ဆက်သွယ်ရေးကြိုးများကို ယေဘုယျအားဖြင့် အမြှုပ်ပါသော polyethylene သို့မဟုတ် အမြှုပ်ပါ polypropylene ဖြင့် လျှပ်ကာပစ္စည်းအဖြစ်၊ လျှပ်ကာ core ဝါယာကြိုးနှစ်ခုနှင့် ground ဝါယာကြိုးတစ်ခု (လက်ရှိစျေးကွက်တွင် double ground နှစ်ခုကိုအသုံးပြုသော ထုတ်လုပ်သူများရှိသည်) ဖြင့် winding စက်ထဲသို့ ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အလူမီနီယမ်သတ္တုပြားနှင့် ရော်ဘာ polyester တိပ်များကို လျှပ်ကာ core ဝါယာကြိုးနှင့် ground ဝါယာကြိုးတစ်ဝိုက်တွင် ပတ်ထားပြီး၊ လျှပ်ကာလုပ်ငန်းစဉ်ဒီဇိုင်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှု၊ မြန်နှုန်းမြင့်ထုတ်လွှင့်လိုင်းဖွဲ့စည်းပုံ၊ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များနှင့် ထုတ်လွှင့်မှုသီအိုရီတို့ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။
စပယ်ယာလိုအပ်ချက်
SAS သည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းထုတ်လွှင့်လိုင်းတစ်ခုလည်းဖြစ်ပြီး အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ဖွဲ့စည်းပုံတူညီမှုသည် ကေဘယ်လ်၏ထုတ်လွှင့်ကြိမ်နှုန်းကိုဆုံးဖြတ်ရာတွင် အဓိကအချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းထုတ်လွှင့်လိုင်း၏ ကွန်ဒတ်တာတစ်ခုအနေဖြင့် မျက်နှာပြင်သည် လုံးဝိုင်းပြီးချောမွေ့ပြီး အတွင်းပိုင်းကွက်တိဖွဲ့စည်းပုံသည် အရှည်၏ဦးတည်ချက်တွင် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများတူညီမှုရှိစေရန် တူညီပြီးတည်ငြိမ်သည်။ ကွန်ဒတ်တာတွင် DC ခုခံမှုလည်း နည်းပါးသင့်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းထုတ်လွှင့်လိုင်းတွင် အတွင်းပိုင်းကွန်ဒတ်တာသည် ပုံမှန်ကွေးညွှတ်ခြင်း သို့မဟုတ် ပုံမှန်မဟုတ်သောကွေးညွှတ်ခြင်း၊ ပုံပျက်ခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းစသည်တို့ကြောင့် ဝါယာကြိုး၊ စက်ပစ္စည်း သို့မဟုတ် အခြားကိရိယာများကြောင့် ဝါယာကြိုး၊ စက်ပစ္စည်း သို့မဟုတ် အခြားကိရိယာများကြောင့် ရှောင်ရှားသင့်ပြီး ကွန်ဒတ်တာခုခံမှုသည် ကေဘယ်လ်အားလျော့ခြင်း၏ အဓိကအချက်ဖြစ်သည် (မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း parameters အခြေခံအပိုင်း 01- attenuation parameters)၊ ကွန်ဒတ်တာခုခံမှုကို လျှော့ချရန် နည်းလမ်းနှစ်ခုရှိသည်- ကွန်ဒတ်တာအချင်းကို တိုးမြှင့်ခြင်း၊ ခုခံမှုနည်းသော ကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများကို ရွေးချယ်ခြင်း။ ကွန်ဒတ်တာအချင်းတိုးလာပြီးနောက်၊ ဝိသေသ impedance ၏လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် insulation ၏အပြင်ဘက်အချင်းနှင့် အပြီးသတ်ထုတ်ကုန်၏အပြင်ဘက်အချင်းကို တိုးမြှင့်ပေးသောကြောင့် ကုန်ကျစရိတ်များတိုးလာပြီး အဆင်မပြေသောလုပ်ဆောင်မှုများဖြစ်ပေါ်စေသည်။ သီအိုရီအရ ငွေလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် အပြီးသတ်ထုတ်ကုန်၏ အပြင်ဘက်အချင်းကို လျှော့ချပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ကို များစွာတိုးတက်စေမည်ဖြစ်သော်လည်း ငွေ၏စျေးနှုန်းသည် ကြေးနီ၏စျေးနှုန်းထက် များစွာမြင့်မားသောကြောင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားလွန်းသောကြောင့် စျေးနှုန်းနှင့် ခုခံမှုနည်းပါးခြင်းကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန်အတွက် ကေဘယ်လ်၏လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ဒီဇိုင်းဆွဲရန် အရေပြားအကျိုးသက်ရောက်မှုကို အသုံးပြုပါသည်။ လက်ရှိတွင် SAS 6G အတွက် သံဗူးကြေးနီလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို အသုံးပြုခြင်းသည် လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပြီး SAS 12G နှင့် 24G တို့တွင် ငွေဖြင့်ချထားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို အသုံးပြုလာကြသည်။
လျှပ်ကူးပစ္စည်းတွင် alternating current သို့မဟုတ် alternating electromagnetic field ရှိနေသောအခါ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွင်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်းဖြန့်ဖြူးမှုသည် မညီမညာဖြစ်လိမ့်မည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းမျက်နှာပြင်မှ အကွာအဝေး တဖြည်းဖြည်းတိုးလာသည်နှင့်အမျှ လျှပ်ကူးပစ္စည်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်းသိပ်သည်းဆသည် အဆပေါင်းများစွာ လျော့ကျသွားပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ လျှပ်ကူးပစ္စည်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်းသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုစည်းလာမည်ဖြစ်သည်။ လျှပ်စီးကြောင်း၏ ဦးတည်ရာနှင့် ထောင့်မှန် transverse plane မှ လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အလယ်ဗဟို၏ လျှပ်စီးကြောင်းပြင်းထန်မှုသည် အခြေခံအားဖြင့် သုညဖြစ်ပြီး ဆိုလိုသည်မှာ လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှု မရှိသလောက်ဖြစ်ပြီး လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အစွန်းရှိ အစိတ်အပိုင်းတွင်သာ subcurrents ရှိလိမ့်မည်။ ရိုးရှင်းစွာပြောရလျှင် လျှပ်စီးကြောင်းသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ "skin" အစိတ်အပိုင်းတွင် စုစည်းနေသောကြောင့် skin effect ဟုခေါ်သည်။ ဤအကျိုးသက်ရောက်မှုအတွက် အကြောင်းရင်းမှာ ပြောင်းလဲနေသော electromagnetic field သည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွင်းရှိ vortex electric field ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး မူလလျှပ်စီးကြောင်းဖြင့် ချိန်ညှိထားသည်။ skin effect သည် alternating current ၏ ကြိမ်နှုန်းတိုးလာသည်နှင့်အမျှ လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ resistance ကို တိုးလာစေပြီး ဝါယာကြိုးထုတ်လွှင့်မှု လျှပ်စီးကြောင်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို လျော့ကျစေပြီး သတ္တုအရင်းအမြစ်များကို စားသုံးစေသော်လည်း မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းဆက်သွယ်ရေးကြိုးများ ဒီဇိုင်းတွင် ဤနိယာမကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ငွေပြားဖြင့် သတ္တုသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချရန် အသုံးပြုနိုင်ပြီး စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အခြေခံအားဖြင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချနိုင်သည်။
အပူလျှပ်ကာလိုအပ်ချက်
လျှပ်ကူးပစ္စည်းလိုအပ်ချက်များကဲ့သို့ပင်၊ လျှပ်ကာအလယ်အလတ်သည်လည်း တစ်ပြေးညီဖြစ်သင့်ပြီး dielectric constant s နှင့် dielectric loss Angle tangent value နိမ့်ကျစေရန်အတွက် SAS ကြိုးများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် foam insulation ကို အသုံးပြုကြသည်။ foaming degree 45% ထက် ပိုများသောအခါ၊ chemical foaming ကို ရရှိရန် ခက်ခဲပြီး foaming degree သည် မတည်ငြိမ်သောကြောင့် 12G အထက်ရှိ ကြိုးများသည် physical foaming insulation ကို အသုံးပြုရမည်။ အောက်ပါပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၊ foaming degree 45% အထက်ရှိသောအခါ၊ physical foaming နှင့် chemical foaming အပိုင်းကို မိုက်ခရိုစကုပ်အောက်တွင် လေ့လာသောအခါ၊ physical foaming pores များသည် ပိုများပြီး သေးငယ်လာပြီး ဓာတု foaming pores များမှာမူ နည်းပါးပြီး ကြီးမားလာပါသည်။
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အမြှုပ်ထခြင်း ဓာတုဗေဒအမြှုပ်ထွက်ခြင်း
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ ဧပြီလ ၂၀ ရက်
